无线充电芯片的演进路径
无线充电芯片的演进路径有三种，接下来就让小编给大家讲解讲解。
20年前，电源IC设计基本由三颗芯片构成，分别是控制芯片、驱动芯片、MOS芯片，当时由于工艺、设计以及数字与模拟的限制，这三颗芯片很难集成在一颗芯片里。这与今天无线充电芯片的设计极其相似。目前无线充电发射端芯片也基本是由三颗芯片构成，分别是驱动芯片、MOS芯片和主控芯片，这正是功率集成的第一代无线充电芯片。王新涛表示，随着半导体工艺和芯片设计的不断演进，可以把控制和驱动芯片集成在一起，同时将数字和模拟集成在同一个工艺节点上进行设计，这就形成了第二代无线充电芯片。这其实是10年前，TI在电源芯片上做出的创新。TI将驱动芯片和MOS芯片整合在同一颗芯片里面，整个效能在当时的电源IC中可以做到最好，这个架构现在在CPU的设计中也被广泛使用。“现在第三代电源芯片就是要进行数字和模拟整合，再加之功率整合。”王新涛表示，这样的技术在电源芯片中已经开始出现，无线充电芯片设计演进的路线也将是如此。不过，目前，发射端无线充电芯片多数还是以第一代为主，发展路径还会很长。
推出第二代无线充电芯片，可以看到，电源IC或无线充电IC的演进路线都是不断集成的过程。那为什么要不断做集成？这是因为集成意味着系统效率会不断提升，成本会不断下降，这跟CPU的集成路线是一样的。王新涛表示，无线充电现在还处于发展初步阶段，我们看到有不少芯片厂商已经在做第二代芯片，将控制和驱动芯片集成在一起，伏达正是其中之一。目前，伏达半导体推出了新一代智能全桥™芯片，该芯片集成了全桥MOS和Driver，做到MOS和Driver完全匹配，提高了效率，可以轻松有效地解决EMI问题。据悉，伏达正在大量出货的是第一代方案Gen1(5W以及针对三星10W和苹果7.5W的方案)，第二代Gen2方案还在样片阶段，与Gen，相比，Gen2的BoM可削减30%；在功率上，Gen2最高可做到20W，相比第一代提升了数倍。“Gen 2方案中SoC控制器的存储提高了一倍，时钟提高到了48M。”Gen2方案采用了主控芯片+智能全桥的架构，除了将控制和驱动芯片集成在一起外，同时还集成了Q值检测、数字解调、DC-DC、以及完全无损的电流采样，性能稳定，方案简洁。 王新涛表示，无线充电芯片尚处于发展初期，前面的路还很长，包括技术创新，产品开发的跑道仍然非常宽广。而对于伏达来说，能够如此迅速地推出第二代无线充电芯片与TI不无关系
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