无线充电方案

在各大厂商争相卡位进入无线充电市场时，其芯片与线圈设计挑战不容忽视。 下面无线充电方案小编给大家来讲解下无线充电设计时常见的瓶颈，无线充电设计上常见瓶颈来自五大因素，包含线圈距离、对位、线圈大小、厚度与温度等问题。

线圈距离：当所有参数完全相同时，线圈距离确实是效率最重要的因素之一，但是并非愈近愈好。

对位：常见对位方式有三种，包含机构、磁吸与感测等方式，但现有对位方式皆有其缺点。

线圈大小：两个线圈间的互感量和线圈的面积成正比，所以提高线圈的面积，可以有效提高互感的磁通量，进而提高感应电动势。

厚度：当Ferrite达到饱和时，导磁率会快速下降，深度饱和时导磁率接近空气。 而经实务发现，在μ不变的前提下，提高弹性导磁率(μ')，降低粘性导磁率(μ")可以提高效率，然而在现有制程技术中，湿式烧结法难以突破。

温度：由于电路上的限制，必需保持一定的R值(高频中的电组成分)，加上铜线本身的长度及截面积会产生电阻，磁材也有铁损，在实务中线圈组常会有温度产生。

以上就是无线充电方案小编给大家讲解的无线充电设计时常见的瓶颈，希望能给大家更多的了解与认知，若想了解更多资讯，欢迎进入我们的官网详细了解！